OP400

    壓電物鏡掃描Z軸

    光切片3D成像

    用于延時成像的自動對焦系統(tǒng)

    高通量掃描

    表面分析

    晶圓檢測

    掃描干涉儀

    產(chǎn)品描述

    產(chǎn)品參數(shù)

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    產(chǎn)品描述
    NanoScan OP400 壓電物鏡掃描 Z 軸提供快捷的步進時間以及整定時間,基于電容傳感器的位置反饋,也可以提供優(yōu)異的精度以及分辨率。OP400 與大多數(shù)顯微鏡以及物鏡兼容,特別的用戶配置設(shè)置針,對物鏡大小,重量,性能需求做出優(yōu)化,只需要針對應(yīng)用選擇合適的設(shè)置即可使用。
    400 μm 閉環(huán)行程,480 μm 開環(huán)行程。電容傳感器具備亞納米量級位置分辨率以及重復(fù)性。不銹鋼材質(zhì),提供優(yōu)質(zhì)的機械剛性獲得快捷的速度,優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性確保低漂移。柔性鉸鏈系統(tǒng)減少離軸運動,提高重復(fù)性和周期循環(huán)時間。適用于正置以及倒置光學(xué)系統(tǒng)。內(nèi)置校準(zhǔn)數(shù)據(jù),確保精度,便于更換控制器。大負載下也能確??焖僬〞r間,超過 1000 萬次全量程循環(huán)。
    NanoScan OP400 是一款納米壓電物鏡掃描器,具備出色性能,適用于多種微觀檢測與分析場景。
    性能參數(shù)
    行程范圍:閉環(huán)行程 400 μm,開環(huán)行程 480 μm。
    分辨率與精度:150 g 負載下,分辨率 0.7 nm;線性度 0.005 % ,重復(fù)性 1.6 nmSlow PID,50 μm 步長,1SD)。
    負載能力:物鏡負載為 800 g,可根據(jù)要求提供高負載。
    頻率與穩(wěn)定時間:當(dāng)負載為 150 g 時,OP400 對應(yīng)的諧振頻率為 180 Hz,0.5 μm 步長的 5 % 整定時間為 7 ms,100 μm 步長的 0.5 %500 nm)穩(wěn)定的時間為 30 ms。
    產(chǎn)品特點
    機械設(shè)計:不銹鋼材質(zhì)構(gòu)建,剛度高,能快速響應(yīng);溫度穩(wěn)定性好,漂移低。無摩擦鉸鏈結(jié)構(gòu),提升剛度,減少離軸運動,確保高重復(fù)性與快速響應(yīng)時間。
    傳感器:電容式定位傳感器,實現(xiàn)亞納米級定位,具備高分辨率、高穩(wěn)定性和高重復(fù)性。
    通用性:適用正置和倒置顯微鏡光路,物鏡壓電掃描器的插頭內(nèi)置 EEPROM 芯片用于儲存校準(zhǔn)數(shù)據(jù),實現(xiàn)即插即用,控制器可替換使用,減少系統(tǒng)停機時間。用戶能根據(jù)物鏡尺寸、重量和應(yīng)用要求,通過配套軟件配置參數(shù)。
    NanoScan 控制器
    低噪聲設(shè)計:皮米級別的位置噪聲,保障系統(tǒng)穩(wěn)定,適用于精準(zhǔn)成像與聚焦。
    信號處理:數(shù)字信號處理的分辨率為 24 bit,控制器刷新率為 50 kHZ。
    傳感器:內(nèi)置電容傳感器,實現(xiàn)精密閉環(huán)控制。
    軟啟停技術(shù):保護負載,延長壓電陶瓷壽命。
    驅(qū)動性能:支持 20 bit分辨率的動態(tài)高功率輸出。
    通訊方式:USB 接口、模擬輸入輸出(BNC 接口,0 10 V)、數(shù)字接口(25 D 型插座、9 D 型插座)。
    控制算法
    借助雙陷波濾波器,可減少一階與二階諧振頻率對動態(tài)位置的影響;通過二次線性化算法優(yōu)化運動線性度,確保位置精度。壓電平臺在高帶寬(3 dB 帶寬)下運行,其伺服頻率超過一階諧振頻率的 40 %。此外,加減速算法通過調(diào)控加速度優(yōu)化運動速度,降低過沖,從而實現(xiàn)快速穩(wěn)定的定位效果。
    控制對比
    開環(huán)控制:無反饋調(diào)節(jié),20 ms 后仍未穩(wěn)定,位置誤差大,僅適用于低精度場景。
    快速 PID 控制:通過快速 PID 閉環(huán)控制,穩(wěn)定時間 >8 ms,過沖明顯,難以滿足高速高精度需求。
    慢速PID 控制:通過反饋閉環(huán)提升穩(wěn)定性,穩(wěn)定時間 7?ms,無過沖。
    Queensgate 算法:實現(xiàn) 5 ms 快速整定、微量過沖。
    在實際測試中,單軸壓電平臺的位置噪聲為 50.1 pm RMS,這一噪聲水平小于氫原子半徑,適用于對精度和穩(wěn)定性要求高的場景,如尖端科學(xué)研究、精密測量或高端制造等領(lǐng)域。
    單軸壓電平臺完成 500 nm 階躍的整定時間小于 1 ms,反映其在動態(tài)控制場景中的快速響應(yīng)能力和穩(wěn)定性。
    傳統(tǒng)壓電控制器:多數(shù)采用位置控制算法(灰色曲線),在高速運動場景中,無法維持準(zhǔn)確的速度控制,導(dǎo)致速度波動或跟蹤誤差,影響動態(tài)性能(如高速掃描的精度和效率)。
    NanoScan 控制器:采用速度控制算法(紅色曲線),其刷新率為 50 kHz,能有效地跟蹤變化指令,可對預(yù)設(shè)的函數(shù)指令重復(fù)執(zhí)行和再現(xiàn),實現(xiàn)納米級定位精度的高速掃描。即使在無需高精度的場景,也能縮短整定時間,提升工作效率。
    應(yīng)用領(lǐng)域
    3D 圖像重建:通過快速 Z 軸掃描獲取多層 2D 圖像,合成高分辨率 3D 結(jié)構(gòu)(如細胞、組織切片)。
    自動對焦系統(tǒng)(延時成像):在活細胞或動態(tài)樣本的長時間成像中,實時補償樣本漂移或焦距變化。
    高通量篩選:高通量分析細胞形態(tài)、蛋白表達等參數(shù),篩選藥物或基因功能。
    多光子顯微鏡:深層組織(如腦片、腫瘤模型)的三維熒光成像,需精準(zhǔn)控制物鏡焦平面。
    表面分析:納米級表面形貌測量(如粗糙度、缺陷檢測),材料表面的物理 / 化學(xué)特性表征。
    半導(dǎo)體晶圓檢測:半導(dǎo)體晶圓表面缺陷(如顆粒、劃痕)的高速檢測,確保芯片制造良率。
    掃描干涉測量:通過干涉儀測量微小位移、厚度或表面輪廓(如 MEMS 器件、光學(xué)元件)。
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    產(chǎn)品參數(shù)
    參數(shù)/型號 方向 材料 行程 μm 負載 kg 線性誤差 % 重復(fù)定位精度 nm
    OP400
    Z
    不銹鋼
    400 閉環(huán)
    0.8
    0.005
    1.6
    資料下載

    產(chǎn)品資料

    NanoScan_OP400_EN_Datasheet

    862.71KB

    2026-01-13

    下載
    OP400-INSTALLATION-DRAWING

    285.79KB

    2026-01-13

    下載

    軟件以及二次開發(fā)

    Nanobench 1.4.4.1

    22.10MB

    2026-01-16

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    Nanobench 2.7.9API

    39.05MB

    2026-01-16

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    相關(guān)附件

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