SP200

    納米壓電樣品掃描臺

    電容位移傳感器提供了優(yōu)異的分辨率。

    單步整定時間7.5ms,負(fù)載500g,可以定制。

    平臺內(nèi)置校準(zhǔn)數(shù)據(jù),控制器兼容性好。

    上千萬次滿行程實驗測試。

    對于不同應(yīng)用中的樣品差異,負(fù)載變化,尺寸大小以及性能需求,提供設(shè)置優(yōu)化,用戶可以簡單選擇高質(zhì)量配置。

    產(chǎn)品描述

    產(chǎn)品參數(shù)

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    產(chǎn)品描述
    NanoScan-SP 系列提供了優(yōu)異的性能和快捷的整定時間,使用轉(zhuǎn)接板可以兼容部分 Prior 的樣品夾具,可以夾持的樣品主要包括微量滴定管,培養(yǎng)皿,多孔板,玻片。電容位移傳感器提供了優(yōu)質(zhì)的分辨率。平臺內(nèi)置校準(zhǔn)數(shù)據(jù),控制器兼容性好。上千萬次滿行程實驗測試。對于不同應(yīng)用中的樣品差異,負(fù)載變化,尺寸大小以及性能需求,提供設(shè)置優(yōu)化,用戶可以簡單選擇高質(zhì)量配置。
    NanoScan SP200 是一款納米壓電樣品掃描器,為高精密顯微成像和表面分析設(shè)計,適用于活細(xì)胞成像、3D 光學(xué)切片、高通量篩選等場景。
    性能參數(shù)
    行程范圍:閉環(huán)行程 200 μm,開環(huán)行程 235 μm
    分辨率與精度:分辨率 0.5 nm;線性度 0.25? % ,重復(fù)定位精度 3 nmSlow PID100 μm 步長,1SD)。
    負(fù)載能力:負(fù)載為 500 g,可根據(jù)要求提供高負(fù)載。
    頻率與穩(wěn)定時間:當(dāng)負(fù)載為 200 g 時,SP200 對應(yīng)的諧振頻率為 180 Hz,2 μm 步長的 5 % 整定時間為 7.5 ms,100 μm 步長的 0.5 %500 nm)穩(wěn)定的時間為 21 ms
    產(chǎn)品特點
    機械設(shè)計:不銹鋼材質(zhì)構(gòu)建,剛度高,能快速響應(yīng);溫度穩(wěn)定性好,漂移低。無摩擦鉸鏈結(jié)構(gòu),提升剛度,減少離軸運動,確保高重復(fù)性與快速響應(yīng)時間。
    傳感器:電容式定位傳感器,實現(xiàn)亞納米級定位,具備高分辨率、高穩(wěn)定性和高重復(fù)性。
    通用性:適用正置和倒置顯微鏡光路,樣品壓電掃描器的插頭內(nèi)置 EEPROM 芯片用于儲存校準(zhǔn)數(shù)據(jù),實現(xiàn)即插即用,控制器可替換使用,減少系統(tǒng)停機時間。用戶能根據(jù)物鏡尺寸、重量和應(yīng)用要求,通過配套軟件配置參數(shù)。
    NanoScan 控制器
    低噪聲設(shè)計:皮米級別的位置噪聲,保障系統(tǒng)穩(wěn)定,適用于精準(zhǔn)成像與聚焦。
    信號處理:數(shù)字信號處理的分辨率為 24 bit,控制器刷新率為 50 kHZ。
    傳感器:內(nèi)置電容傳感器,實現(xiàn)精密閉環(huán)控制。
    軟啟停技術(shù):保護(hù)負(fù)載,延長壓電陶瓷壽命。
    驅(qū)動性能:支持 20 bit 分辨率的動態(tài)高功率輸出。
    通訊方式:USB 接口、模擬輸入輸出(BNC 接口,0 — 10 V)、數(shù)字接口(25 針 D 型插座、9 針 D 型插座)。
    控制算法
    借助雙陷波濾波器,可減少一階與二階諧振頻率對動態(tài)位置的影響;通過二次線性化算法優(yōu)化運動線性度,確保位置精度。壓電平臺在高帶寬(3 dB 帶寬)下運行,其伺服頻率超過一階諧振頻率的 40 %。此外,加減速算法通過調(diào)控加速度優(yōu)化運動速度,降低過沖,從而實現(xiàn)快速穩(wěn)定的定位效果。
    控制對比
    開環(huán)控制:無反饋調(diào)節(jié),20 ms 后仍未穩(wěn)定,位置誤差大,僅適用于低精度場景。
    快速 PID 控制:通過快速 PID 閉環(huán)控制,穩(wěn)定時間 >8 ms,過沖明顯,難以滿足高速高精度需求。
    慢速PID 控制:通過反饋閉環(huán)提升穩(wěn)定性,穩(wěn)定時間 7 ms,無過沖。
    Queensgate 算法:實現(xiàn) 5 ms 快速整定、微量過沖。
    在實際測試中,單軸壓電平臺的位置噪聲為 50.1 pm RMS,這一噪聲水平小于氫原子半徑,適用于對精度和穩(wěn)定性要求高的場景,如尖端科學(xué)研究、精密測量或高端制造等領(lǐng)域。
    單軸壓電平臺完成 500 nm 階躍的整定時間小于 1 ms,反映其在動態(tài)控制場景中的快速響應(yīng)能力和穩(wěn)定性。
    傳統(tǒng)壓電控制器:多數(shù)采用位置控制算法(灰色曲線),在高速運動場景中,無法維持準(zhǔn)確的速度控制,導(dǎo)致速度波動或跟蹤誤差,影響動態(tài)性能(如高速掃描的精度和效率)。
    NanoScan 控制器:采用速度控制算法(紅色曲線),其刷新率為 50 kHz,能有效地跟蹤變化指令,可對預(yù)設(shè)的函數(shù)指令重復(fù)執(zhí)行和再現(xiàn),實現(xiàn)納米級定位精度的高速掃描。即使在無需高精度的場景,也能縮短整定時間,提升工作效率。
    應(yīng)用領(lǐng)域
    3D 圖像重建:通過快速 Z 軸掃描獲取多層 2D 圖像,合成高分辨率 3D 結(jié)構(gòu)(如細(xì)胞、組織切片)。
    自動對焦系統(tǒng)(延時成像):在活細(xì)胞或動態(tài)樣本的長時間成像中,實時補償樣本漂移或焦距變化。
    高通量篩選:高通量分析細(xì)胞形態(tài)、蛋白表達(dá)等參數(shù),篩選藥物或基因功能。
    表面分析:納米級表面形貌測量(如粗糙度、缺陷檢測),材料表面的物理 / 化學(xué)特性表征。
    半導(dǎo)體晶圓檢測:半導(dǎo)體晶圓表面缺陷(如顆粒、劃痕)的高速檢測,確保芯片制造良率。
    活細(xì)胞成像:可以與活細(xì)胞培養(yǎng)箱(如 okolab 培養(yǎng)箱)聯(lián)合使用,完成活細(xì)胞長時間拍攝觀察過程。
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    產(chǎn)品參數(shù)
    參數(shù)/型號 方向 材料 行程 μm 負(fù)載 kg 線性誤差 % 重復(fù)定位精度 nm
    SP200
    Z
    鋁/不銹鋼
    200 閉環(huán)
    0.5
    0.25
    3
    資料下載

    產(chǎn)品資料

    軟件以及二次開發(fā)

    Nanobench 1.4.4.1

    22.10MB

    2026-01-16

    下載
    Nanobench 2.7.9API

    39.05MB

    2026-01-16

    下載
    相關(guān)附件

    產(chǎn)品中心

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